Все фото…

Жоре́с Ива́нович Алфёров
Алфёров Жорес Иванович 001.jpg советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике (2000)
Дата рождения:	15 марта 1930
Место рождения:	Витебск, Белоруссия

Жоре́с Ива́нович Алфёров (р. 15 марта 1930, Витебск, СССР) — советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов. Его исследование сыграло большую роль в информатике. Депутат Госдумы РФ (КПРФ), являлся инициатором учреждения в 2002 году премии «Глобальная энергия» (учредители ОАО "Газпром", РАО "ЕЭС России", НК "ЮКОС" и ОАО «Сургутнефтегаз» (2005 г.) ). До 2006 года возглавлял Международный комитет по присуждению премии «Глобальная энергия».

В 1952 окончил Ленинградский Электротехнический институт имени В. И. Ульянова (ЛЭТИ). С 1953 работает в Физико-Техническом Институте имени А. Ф. Иоффе (с 1987 по май 2003 — директор, с мая 2003 по июль 2006 — научный руководитель). С 2003 года — председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН. Академик АН СССР (1979), затем РАН. Вице-президент РАН, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН. Главный редактор «Писем в „Журнал технической физики“».

Награды и премии

• Медаль Балантайна института Франклина (США, 1971) — «За теоретические и экспериментальные исследования двойных лазерных гетероструктур, благодаря которым были созданы источники лазерного излучения малых размеров, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре»;
• Ленинская премия (СССР, 1972) — «За фундаментальные исследования геторопереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе»;
• Хьюллет-Паккардовская премия Европейского физического общества — «За новые работы в области гетеропереходов» (1978);
• Государственная премия (СССР, 1984) — «За разработку изопериодических гетероструктур на основе четверных твердых растворов полупроводниковых соединений A3B5»;
• Награда Симпозиума по GaAs (1987) — «За пионерские работы в области полупроводниковых гетероструктур на основе соединений III–V групп и разработку инжекционных лазеров и фотодиодов»; и медаль Х. Велькера (1987) — «За пионерские работы по теории и технологии приборов на основе соединений III–V групп»;
• Премия А.П. Карпинского (ФРГ, 1989) — «За вклад в развитие физики и техники гетероструктур»;
• Премия им. А.Ф. Иоффе РАН (РАН, 1996) — «За цикл работ “Фотоэлектрические преобразователи солнечного излучения на основе гетероструктур”»;
• Демидовская премия (РФ,1999);
• Медаль А.С. Попова (РАН, 1999);
• Нобелевская премия — «За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники», (Швеция, 2000);
• Премия Ника Холоньяка (Оптическое общество США, 2000);
• Премия «Российский Национальный Олимп». Титул «Человек-легенда» (РФ, 2001);
• Премия Киото (Инамори фонд, Япония, 2001) — «За успехи в создании полупроводниковых лазеров, работающих в непрерывном режиме при комнатных температурах — пионерский шаг в оптоэлектронике»;
• Государственная премия (Российская Федерация, 2001);
• Премия В.И. Вернадского (НАН Украины, 2001);
• Награда «Золотая тарелка» (Академия достижений, США, 2002);
• Золотая медаль (SPIE, 2002)
• Международная энергетическая премия «Глобальная энергия» (Россия, 2005).

Ордена CCCP

• Знак Почёта (1959)
• Трудового Красного Знамени (1975)
• Октябрьской Революции (1980)
• Ленина (1986)
• 3 медали

Ордена России

• За заслуги перед Отечеством (III степени) (1999)
• За заслуги перед Отечеством (II степени) (2000)
• За заслуги перед Отечеством (I степени) (2005)
• медали.

Ссылки

Einstein template.gif

Это незавершённая статья об учёном. Вы можете помочь проекту, исправив и дополнив её.